Hersteller Produktnummer:
TSM80N950CP ROG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM80N950CP ROG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
12949735
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TSM80N950CP ROG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
691 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TSM80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM80N950CP ROGDKR-DG
TSM80N950CPROGDKR
TSM80N950CP ROGCT-DG
TSM80N950CP ROGCT
TSM80N950CP ROGTR
TSM80N950CPROGTR
TSM80N950CPROGCT
TSM80N950CP ROGDKR
TSM80N950CP ROGTR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPD06N80C3ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SPD06N80C3ATMA1-DG
Einheitspreis
0.78
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